無(wú)塵無(wú)氧化烤箱是半導(dǎo)體、光電子、新能源與精密制造領(lǐng)域的核心熱處理設(shè)備，其以超凈環(huán)境、無(wú)氧氛圍與精準(zhǔn)溫控，為晶圓烘烤、薄膜退火、光刻膠固化等關(guān)鍵工藝保駕護(hù)航。任何操作不當(dāng)都可能導(dǎo)致產(chǎn)品污染、氧化或性能失效，掌握
無(wú)塵無(wú)氧化烤箱科學(xué)、規(guī)范的使用方法，是確保工藝穩(wěn)定與設(shè)備壽命的關(guān)鍵。
第一步：使用前環(huán)境與設(shè)備檢查
確認(rèn)烤箱放置在潔凈室（如ISO Class 5級(jí)或更高）內(nèi)，周圍無(wú)振動(dòng)、無(wú)強(qiáng)電磁干擾。檢查電源電壓、氣源（氮?dú)?氬氣）壓力是否符合要求。確認(rèn)氣體管路連接牢固，無(wú)泄漏。檢查HEPA/ULPA過(guò)濾器狀態(tài)，若壓差報(bào)警或使用超期，需更換。
第二步：腔體清潔與去污
操作人員穿戴潔凈服、手套與口罩。使用無(wú)塵布蘸取高純異丙醇或去離子水，擦拭不銹鋼內(nèi)膽、擱板與門封。避免使用普通抹布或含硅清潔劑，防止二次污染。清潔后關(guān)閉箱門，啟動(dòng)空載循環(huán)凈化程序，確保腔內(nèi)潔凈度達(dá)標(biāo)。
第三步：樣品裝載與擱板設(shè)置
將待處理樣品置于專用潔凈舟或晶圓盒中，嚴(yán)禁裸手接觸。輕柔放入烤箱，避免劇烈震動(dòng)產(chǎn)生微粒。合理分布樣品，確保氣流暢通，不遮擋加熱區(qū)與傳感器。記錄樣品信息與工藝編號(hào)。
第四步：氣氛置換與真空操作（如適用）
開啟惰性氣體閥門，設(shè)定流量（如5-10L/min），進(jìn)行多次充放氣循環(huán)（Purge Cycle），將腔內(nèi)氧氣含量降至工藝要求（通常＜1ppm）。若需真空工藝，啟動(dòng)真空泵，抽至設(shè)定真空度后關(guān)閉閥門，維持負(fù)壓。
第五步：程序設(shè)定與啟動(dòng)
通過(guò)觸摸屏或控制面板設(shè)定工藝曲線：包括升溫速率、目標(biāo)溫度、恒溫時(shí)間、降溫模式等。選擇“氮?dú)獗Ｗo(hù)”或“真空”模式。確認(rèn)無(wú)誤后啟動(dòng)運(yùn)行。系統(tǒng)將自動(dòng)執(zhí)行升溫、恒溫、冷卻全過(guò)程。
第六步：運(yùn)行中監(jiān)控
觀察溫度曲線、氣體流量與腔體壓力是否穩(wěn)定。通過(guò)觀察窗監(jiān)視樣品狀態(tài)，禁止頻繁開門。若出現(xiàn)超溫、氣體壓力異常或系統(tǒng)報(bào)警，立即暫停程序，排查原因。
第七步：冷卻與取料
程序結(jié)束后，設(shè)備自動(dòng)降溫。嚴(yán)禁在高溫下開門，防止空氣涌入導(dǎo)致氧化或熱沖擊。待溫度降至安全值（通常＜60℃）且氣氛穩(wěn)定后，緩慢開啟箱門，取出樣品。取料動(dòng)作輕柔，避免擾動(dòng)殘留微粒。
更新時(shí)間：2025-10-24 
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